sono in crisi con le porte EEMOS. Ho gli appunti che su questa lezione non sono fatti molto bene e quindi vorrei confrontarmi con voi su di una serie di cose cercando di schiarirmi un poco le idee :
1) Perche i due MOS vengono chiamati di carico e di guida?
2) Perche nel MOS di carico si collega il terminale di gate al drein e non al source?
3) Quale dei due MOS risente dell'effetto body?
le mie risposte
1) penso che sia dovuto al processo di commutazione della porta. Quando la porta NOT l'avevamo formata con la resistenza in serie al MOS, il passaggio dal livello logico basso a quello alto si studiacollegando alla porta un condensatore. Ora l'uscita alta si ottiene caricando il condensatore, e tale carica avviene mediante la resistenza. Penso che il ruolo del MOS di carico sia simile. Non comprendo pero la definizione MOS di guida.
2) penso perke si pone la tensione di alimentazione Vgs = 0 e questo va contro la costituzione vera e proprio di un transistore MOS
3) sul mio quaderno tengo scritto una volta il MOS di guida e poi quello di carica. Io penso pero che sia il MOS di carica
vi prego rispondete
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