[TRACCIA] Circuiti digitali - Settembre 2007

Mi rivolgo a ki ha già fatto l'esame: in cosa consiste la prova scritta????

La prova scritta consiste nello svolgimento di due esercizi riguardanti le varie famiglie logiche MOS (possibili scelte possono essere MOS a carico resistivo, EEMOS, EDMOS, CMOS) negli esercizi viene richiesto il calcolo di parametri statici e dinamici, niente di particolarmente difficile .....per avere un'idea dell'esame vai a https://www.r0x.it/in...topic.php?t=767, ovviamente le info sn relative al corso dell'anno scorso. Io tra l'altro credo che dovrei avere nel mio quaderno di circuiti la traccia di settembre, in ogni caso controllerò e ti farò sapere.....

Se non ricordo male il professore disse che la parte critica e a cui lui dava maggiore importanza era lo scritto...

ma tali esercizi sulle diverse famiglie logiche sono comunque relativi ai soli invertitori? o ci dobbiamo aspettare di trovare configurazioni più complesse (porte NAND, NOR ecc. oppure flip-flop)?

quali sono le domande tipiche all'orale? grazie a tutti

La prova verterà solamente sugli invertitori:
solitamente il Professore richiede di calcolare margini e caratteristiche dinamiche di una porta EEMOS o EDMOS, e di dimensionare un CMOS affinchè abbia particolari caratteristiche. Posto l'ultima traccia a breve

Per quanto so la tipologia dello scritto, mi faresti un favore a postare la traccia, così da ripeterlo meglio prima della prox data di esame...dato che l'unico problema dell'esame sono la velocità con cui bisogna fare i calcoli cercando di farli subito corretti! Grazie mille

Ragazzi rinnovo l'invito: se qualcuno possiede la traccia di settembre potrebbe postarla?

Esame di Settembre:

Esercizio 1, EDMOS
Dati:
$ V_(DD) = 7 V $
$ V_(TD0) = 1 V $
$ V_(TL0) = -2.5 V $
$ mu_nC_(OX) = 20 (muA)/V^2 $
$ 2phi_F = 0.6$
$ gamma = 0.7 $
$ C_L = 0.15 pF $


Trovare $ K_D/K_L $ tale che $ (dv_o)/(dv_I) = -38 $
$ V_H, V_L, Delta_H, Delta_L $
$ Z_L $ tale che $t_PD = 18 ns $ (senza considerare l'effetto body per $ Z_L $ )



Esercizio 2, CMOS

Dati:
$ V_(DD) = 7 V $
$ V_(TN0) = -V_(TP0) = 2V $
$ mu_nC_(OX) = 20 (muA)/V^2 $
$ mu_pC_(OX) = 10 (muA)/V^2 $
$ Z_n=Z_p=1 $


Trovare $ V_(LT),Delta_H, Delta_L $

che brutti ricordi

Esame di Settembre:
Esercizio 1, EDMOS
Dati:
$ V_(DD) = 7 V $
$ V_(TD0) = 1 V $
$ V_(TL0) = -2.5 V $
$ mu_nC_(OX) = 20 (muA)/V^2 $
$ 2phi_F = 0.6$
$ gamma = 0.7 $
$ C_L = 0.15 pF $
Trovare $ K_D/K_L $ tale che $ (dv_o)/(dv_I) = -38 $
$ V_H, V_L, Delta_H, Delta_L $
$ Z_L $ tale che $t_PD = 18 ns $ (senza considerare l'effetto body per $ Z_L $ )

Ragazzi per favore mi potete chiarire i seguenti dubbi perchè il primo es mi trovo solo numeri immaginari e vorrei capire se sono errori di calcolo (come spero)...è più da leggere che da capire:

1)Per trovare Kd/Kl (dove c'è la specifica sulla pendenza) devo considerare la seconda zona della caratteristica di I/O dell'EDMOS (ovvero dove c'è Vlt e dove Md lavora in TRIODO e Ml lavora in PO) dato che lì ho la pendenza maggiore?;

2)L'effetto body (dove va considerato) lo devo tenere in conto solo per il LOAD (e quindi solo per il calcolo di Vtl) perchè il DRIVE non soffre mai di effetto body (e quindi Vtd sarà sempre uguale a Vtd0)?

3) Infine, dove considero l'effetto body (sia nella prima che nella seconda zona della caratteristica di I/O) la Vo che compare nella formula di Vt la massimizzo sempre ponendola uguale a Vh oppure nella seconda zona la devo mettere con un altro valore (che non so)?

Grazie mille e scusate per il disturbo!!!
(non mandatemi a vaff... )

Ragazzi per favore mi potete chiarire i seguenti dubbi perchè il primo es mi trovo solo numeri immaginari e vorrei capire se sono errori di calcolo (come spero)...è più da leggere che da capire:

1)Per trovare Kd/Kl (dove c'è la specifica sulla pendenza) devo considerare la seconda zona della caratteristica di I/O dell'EDMOS (ovvero dove c'è Vlt e dove Md lavora in TRIODO e Ml lavora in PO) dato che lì ho la pendenza maggiore?;

2)L'effetto body (dove va considerato) lo devo tenere in conto solo per il LOAD (e quindi solo per il calcolo di Vtl) perchè il DRIVE non soffre mai di effetto body (e quindi Vtd sarà sempre uguale a Vtd0)?

3) Infine, dove considero l'effetto body (sia nella prima che nella seconda zona della caratteristica di I/O) la Vo che compare nella formula di Vt la massimizzo sempre ponendola uguale a Vh oppure nella seconda zona la devo mettere con un altro valore (che non so)?

Grazie mille e scusate per il disturbo!!!
(non mandatemi a vaff... )

spero che non sia troppo tardi cmq...

1) la caratteristica di I/O dell'EDMOS è divisa in 4 zone, devi considerare la zona in cui la pendenza è circa costante, cioè la terza.

2) esattamente

3) ti consiglio di basarti su quello che ha fatto il prof. Negli esercizi del prof sugli EDMOS lui trascura l'effetto body anche nelle zone in cui la Vo è alta (come nella zona 2) secondo me perchè siccome in un EDMOS Vlt = Vlto + XXX dove XXX è il contributo dato da Vo ed è positivo e Vlto è negativa, all'aumentare della Vo diminuisce in modulo Vlt.
Perciò, si dovrebbe prendere Vlt = Vlto che corrisponde al caso peggiore, poichè altrimenti Vlt può solo aumentare (diminuire in modulo)... almeno così sembra!

sto svolgendo questa traccia come esercizio e nell'EDMOS mi trovo, per parecchi valori che do a $V_o$ dei rapporti dimensionali troppo alti, intorno a 30/40. È così oppure sbaglio io?

a me è uscito un bel 43

secondo me, però, per quanto strano, un valore così alto è corretto. Il fatto è che il gamma è un pò più grande del normale e la pendenza richiesta è grossa (in genere dovrebbe stare intorno al -20/25, guardando gli altri esercizi sugli EDMOS)

Tu che valore hai dato a $V_o$ (considerando che potevi anche dare qualche valore minore di $V_(DD)$, come ad esempio la metà oppure $V_(DD)+V_(TL)$?

ho dato Vdd/2 cioè 3.5!

scusatemi ma qualcuno ha i risultati o meglio ancora lo svolgimento delle due tracce di digitale?
grazie mille
AG

Un dubbio: il calcolo del rapporto Kd/Kl viene effettuato nella terza regione di I/O in quanto in tale regione posso immaginare la pendenza come costante. Effettuando i calcoli mi trovo anche io 43. Ma il fatto che la terza regione coincide per la gran parte con la regione di transizione del dispositivo a noi non interessa per niente???? Cioe' non influisce sta cosa??

grazie

Si vede che è una delle prime traccie infatti i risultati non assomigliano per niente ai "soliti" comunque data l'assenza di risultati su questa traccia posto i miei, segnalatemi eventuali errori Thank's!

ED-MOS
Vh = 7V
Zd/Zl = 43
Vl = 12 mV
Vtl = -1.11V
Vohm = 6.99V
Vilm = 1.03V
Vihm = 1.44V
Volm = 0.22V
DeltaH = 5.55V
DeltaL = 0.81V
Zl = 0.8

C-MOS
Vh = 7V
Vl = 0V
Sl = 7V ---> Sl PIENO
Vohm = 6.69V
Vilm = 2.79V
Volm = 0.4V
Vihm = 3.54V
DeltaH = 3.15V
DeltaL = 2.39V
Vlt = 3.24V