[Domande d'esame] Fondamenti di Elettronica

come da titolo...

- Caratteristiche e funzionamento del diodo
- Caratteristiche dinamiche del diodo (comportamento capacitivo)
- Raddrizzatori
- Convertitori
- Circuiti formatori d'onda
- Modello a controllo di carica
- Modello del mos
- Polarizzazione del bjt

il modello a controllo di carica
la legge della giunzione
il tempo di salita e quello di discesa
l'eq differenziale di un circuito di primo ordine
la polarizzazione del bjt tramite uno specchio
        

1) Circuito onda quadra + capacità nel diodo
2) Formula del tempo di immagazzinamento nel diodo e differenze nel BJT
3) Formula del tempo di transito
4) Ricavare il punto di lavoro del BJT dalla caratteristica ingresso-uscita
5) Retroazione
6) Diodo in retroazione

1) Fotodiodi
2) Circuito di Aggancio
3) Specchio Mos
4) Relazione tra Id e Vgs nel Mos

1) Isat inversa nel Diodo
2) Correnti nel diodo

1) F. di Trasferimento
2) Condensatore MOS
3) MOS
4) Eq. di continuità della carica
5) Polarizzazione del MOS
7) Retroazione

1) Modello a controllo di carica del diodo
2) Espressione della U (funzione di generazione/ricombinazione) non semplificata
2) Circuito di aggancio

-Modello di Ebers Moll
-Transistore connesso a diodo
-Correnti nel BJT
-Tasso di Generazione-Ricombinazione nel diodo in pol. diretta
-Circuito reddrizzatore
-Diodo a base corta

1)Risoluzione di un circuito con diodo, resistenza e condensatore.
2)Modello del trasporto.
3)Dimostrazione della linearità dell’eccesso dei portatori minoritari in base.
4)Caratteristica Ic - Vce del bjt.
5)Corrente di Scala.

- Caratteristica di un MOS a canale P a svuotamento
- Polazizzazione dello stesso
- Esercizio FdT con tre diodi zener
- Calcolo delle correnti in un diodo corto dal lato n

Esame di Febbraio e Marzo 2009

1. polarizzazione di un BJT pnp con rete a quattro resistore con discussione sulle caratteristiche di ingresso e di uscita
2. circuito RC come due post fa

1. tensione di soglia del MOS (quindi descrizione del MOS e del suo funzionamento)
2. circuito raddrizzatore con filtro capacitivo, parametri di interesse (ripple, corrente massima del diodo, intervallo di conduzione) con il procedimento per ricavarli

Qualcuno potrebbe postare il procedimento giusto per la risoluzione di questo circuito? Grazie!

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1)Risoluzione di un circuito con diodo, resistenza e condensatore.

1) Corrente del diodo ideale
2) Caratteristiche e polarizzazione di un n-MOSFET a svuotamento
3) Circuito RC con diodo

Con Rubino:

1. Circuito RC con alimentatore funzione gradino a 5V, resistenza in serie, e in uscita c'era un parallelo tra condensatore e diodo. Calcolare andamento della Vc(t), ic(t) e id(t)
2. Polarizzazione Bjt con doppia alimentazione, con libertà di scelta di configurazione (base comune o emettitore comune). Rappresentazione caratteristiche di ingresso e di uscita, calcolo del punto di lavoro (generico) tramite retta di carico.
3. Calcolo della tensione di soglia Vt del Mosfet.

Durante lo svolgimento dell'orale, a seconda di ciò di cui stavo parlando, mi sono state fatte altre domande del tipo:
1. Chi è epsilon e quanto vale;
2. Com'è collegato il gate al corpo del mosfet (tramite biossido di silicio, è un isolante che ci l'assenza di corrente di gate;
3. Che tipo di atomi ci sono nel drain e source del mosfet a canale N e un esempio (nel mio caso erano appunto atomi donatori e l'esempio era il fosforo);

Credo sia tutto, forse qualche altra domanda del genere che però non ricordo.

esame sostenuto con rubino e petrosino:
Raddrizzatore a ponte di diodi(tutti i calcoli) e dopo in aggiunta un diodo prima del parallelo RC e un diodo in serie al condensatore.
RIcavare la caratteristica i-v del diodo
Modello a controllo di carica
Legge della giunzione
Caratteristiche di trasferimento del Mosfet
Modello di Ebers-Moll
Prametri prestazionali del bjt
Polarizzazione del bjt (a quattro resistori e a due resistori nella configurazione a diodo con spiegazione della retroazione)
Specchio di corrente bjt(senza effetto early)-Mosfet(con modulazione di canale)
Diodo in commutazione

esame con Rubino del 2 ott 2012

- caratteristica del diodo ideale e reale
- p-mosfet a svuotamento
- Legge della giunzione caso infinito e corto
- circuito con diodi da fare la funzione di trasferimento e vedere cosa cambiava facendo diventare dei diodi zener o invertendoli.

Esame del 20/03/2013 con Rubino

- raddrizzatore singola semionda con tutti gli annessi e connessi
- polarizzazione bjt con riferimenti all'effetto early
- qualche altra domanda di contorno

Con Petrosino:

- Raddrizzatore a ponte: calcolo della tensione di ripple, vedere cosa accade se al posto del generatore sinusoidale in ingresso metto un'onda quadra (uscita costante), dire qualitativamente perché in quest'ultimo caso il ripple è nullo(si spiega con lo sviluppo in serie di Fourier, vedi immagine in allegato), dire perchè si usa un trasformatore nel caso di ingresso sinusoidale anche se non è necessario elevare/abbassare la tensione di ingresso(per isolare il ponte + il filtro RC dalla rete).

- Raddrizzatore a presa centale: corrente di spunto(quella all'accensione del generatore, non quella massima che periodicamente scorre nel diodo).

- Risposta al transiente di una giunzione p+n ideale (transitorio ON, transitorio OFF, calcolo del tempo di immagazzinamento).

- Polarizzazione del BJT con rete a 4 resistori (spiegare come funziona la retroazione e in base a quali criteri scegliere le resistenze).

Orale svolto col prof. Rubino:
1.  Circuito d'aggancio 
2. Esercizio su una funzione di trasferimento

3. $C_(Dp)$ in un diodo $P^+N$

Orale svolto col prof. Rubino:
1.  Circuito d'aggancio 
2. Esercizio su una funzione di trasferimento

3. $C_(Dp)$ in un diodo $P^+N$

 

@vmar93 sai per caso anche quali altre domande ha fatto quel giorno in seduta d'esame?

@vmar93 sai per caso anche quali altre domande ha fatto quel giorno in seduta d'esame?

Ho sentito chiedere il modello a controllo di carica, e lo svolgimento di un esercizio..poi sono andato via e non ho seguito più la continuazione dell'orale...

Esame sostenuto con prof. Rubino:

 

-Esercizio con Diodo e Condensatore;

-Ricavare la capacita di diffusione in un diodo lungo e corto;

-Polarizzazione BJT in una rete a 4 resistori

Rispolvero la discussione: polarizzazione BJT a 4 resistori (con particolare riferimento all'azione della resistenza di emettitore, cioè come dà la retroazione); caratteristiche di ingresso ed uscita e come si trova il punto di lavoro (la parametrizzazione della corrente di base in uscita, tra le infinite, si vede dalle caratteristiche di ingresso) e criteri della stabilità; effetto Early; circuito con forzamento a gradino, resistenza e diodo con condensatore collegato in parallelo a quest'ultimo di cui trovare la vc (e quindi vo).