Corsi di Laurea

[nontrovonomi]

Esercizio 1, ED-MOS
Dati:
$ V_(DD) = 8 V $
$ V_(TD0) = 1.45 V $
$ V_(TL0) = -2 V $
$ mu_nC_(OX) = 20 (muA)/V^2 $
$ 2phi_F = 0.6 V$
$ gamma = 0.5 sqrt V$
$ C_L = 0.1 pF $

Trovare:
$ Z_D/Z_L $ tale che $ (dv_o)/(dv_I)=-25.74 $;
$ V_H, V_L, Delta_H, Delta_L $;
$ Z_L $ tale che $t_(PD) = 12.7ns $ (senza considerare l'effetto body per $ Z_L $ )
$f$ tale che $P_(ST)=P_(D)$

Esercizio 2, C-MOS
Dati:
$ V_(DD) = 9 V $
$ V_(Tn0) = 1.4 V $
$ V_(Tp0) = -1.4 V $
$ mu_nC_(OX) = 25 (muA)/V^2 $
$ mu_pC_(OX) = 10 (muA)/V^2 $
$ Z_n=Z_p=2 $
$ C_L = 0.1 pF $

Trovare:
$ S_L, Delta_H, Delta_L,V_(LT) $;
$ Z $ tale che $t_(PD) = 6.42ns $
$ P $ a $ f_(MAX) $

GRAZIE PER L'ATTENZIONE...

[marcol]

, qualcuno potrebbe postare i risultati di questo esame?!

[demiurgo86]

marcol, c'e' la sezione apposita per kiedere i risultati

[Gordon Freeman]

aspè, ma chiedi i risultati NUMERICI o risultati degli AMMESSI?

[marcol]

aspè, ma chiedi i risultati NUMERICI o risultati degli AMMESSI?

Risultati numerici...

[demiurgo86]

scusami marcol, t'avevo frainteso!

[marcol]

scusami marcol, t'avevo frainteso!

Non fa niente...figurati!
Cmq, inizio a postarmeli da solo...

EDMOS:
V_H=8V
V_L=0,034V
Z_d/Z_l=9
Delta_H=5,733V
Delta_L=1,162V
Z_L=1
f=15,31MHZ

CMOS:
S_L=9V
V_LT=3,802V
Delta_H=4,065V
Delta_L=2,011V
Z=0,5
P=1,264mW

P.S. Nella traccia del CMOS dovrebbe essere Z_n=Z_p=Z e non =2...Correggetemi se sbaglio...

[tolérance]

Ciao ragazzi, fino adesso nn sono usiti i risultati su internet, normalmente il prof li publica un giorno prima, ma quindi l'orale si farà domani??

[Gordon Freeman]

orale 30/10 ore 8.30 aula 107.
Risultati

[kandle]

Posto i miei risultati relativi all' ED-MOS:

V(dd)=8V
Zd/Zl=9
Vl=0.034V
V(IlM)=1.55V
V(Ohm)=7.95V
V(OlM)=0.385V
V(Ihm)=2.22V
DeltaH = 5.73V
DeltaL = 1.17V
Zl=1
f = 25Mhz con P(st)= 160muW

[alefra]

Posto i miei risultati relativi all' ED-MOS:

V(dd)=8V
Zd/Zl=9
Vl=0.034V
V(IlM)=1.55V
V(Ohm)=7.95V
V(OlM)=0.385V
V(Ihm)=2.22V
DeltaH = 5.73V
DeltaL = 1.17V
Zl=1
f = 25Mhz con P(st)= 160muW

MI TROVO SU TUTTO...

e in più aggiungo i risultati del
C-MOS

Vh = 9V
Vl = 0V
SL = 9V => SL Pieno
Vilm = 2.84V
Vohm = 8.42V
Volm = 0.83V
Vihm = 4.35V
DeltaH = 4,07V
DeltaL = 2.01V
Vtl = 3.8V
Z = 0.5
P = 1.26 mW

fatemi sapere se vi trovate....

[girolamo]

Mi è sorto un piccolo dubbio riguardo questa traccia. Viene posto $ z_n = z_p=2 $..ciò influisce qualcosa nel calcolo della z?? cioè una volta trovato z nella formula del tpd, si deve tenere in considerazione del 2? Inoltre nel $ k_n /k_p $ cambia qualcosa?Io lo pongo sempre uguale a 2,5!

[mib85]

Mi è sorto un piccolo dubbio riguardo questa traccia. Viene posto $ z_n = z_p=2 $..ciò influisce qualcosa nel calcolo della z?? cioè una volta trovato z nella formula del tpd, si deve tenere in considerazione del 2? Inoltre nel $ k_n /k_p $ cambia qualcosa?Io lo pongo sempre uguale a 2,5!

Non ne ho la certezza assoluta, ma credo tu debba calcolarti un nuovo fattore di forma $ z = z_p = z_n $ che non c'entra nulla con quelli della traccia, poiché il fattore di forma è un parametro sul quale si può agire per modificare le caratteristiche (statiche o dinamiche) del dispositivo. Quindi ti si chiede di fare in modo che il $t_{PD}$ sia pari a $6.42 ns$ agendo per l'appunto sul fattore di forma.

[girolamo]

si infatti io così ho fatto..Ho calcolato il fattore di forma normalmente, e mi trovo con i risultati postati. Solo che mi era venuto questo dubbio perchè altre volte l'uguaglianza tra i fattori di forma di Mn ed Mp era posto ad 1. Però penso che non cambi nulla effettivamente.