Corsi di Laurea

[tino20]

Un condensatore MOS a canale n $ (N_{AB} =5\cdot 10^{16} cm^{-3}) $ presenta al terminale di gate una carica
$ Q_{G}=200\frac{nC}{cm^{2}} $. Assumendo nulla la carica intrappolata all’interno dell’ossido, trovare la regione
di funzionamento ed il valore della carica di svuotamento immagazzinata nel substrato.

Avevo pensato che essendo nulla la carica intrappolata nell'ossido, il potenziale applicato al condensatore risulta pari a $ V_{GB}-V_{FB}=\phi _{s} $, cioè al potenziale intrinseco.
E' esatta questa osservazione?

[Folgore]

Un condensatore MOS a canale n $ (N_{AB} =5\cdot 10^{16} cm^{-3}) $ presenta al terminale di gate una carica
$ Q_{G}=200\frac{nC}{cm^{2}} $. Assumendo nulla la carica intrappolata all’interno dell’ossido, trovare la regione
di funzionamento ed il valore della carica di svuotamento immagazzinata nel substrato.

Avevo pensato che essendo nulla la carica intrappolata nell'ossido, il potenziale applicato al condensatore risulta pari a $ V_{GB}-V_{FB}=\phi _{s} $, cioè al potenziale intrinseco.
E' esatta questa osservazione?

Si, mi pare proprio di si. Per ulteriori dettagli, ti rimando ad un testo molto buono, che è "Dispositivi a semiconduttore", autore Sze.
Ciao.